Bookcover of Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Booktitle:

Легирование полупроводников методом ядерных реакций

LAP LAMBERT Academic Publishing (2017-08-08 )

Books loader

Omni badge eligible for voucher
ISBN-13:

978-620-2-01287-4

ISBN-10:
6202012870
EAN:
9786202012874
Book language:
Russian
Blurb/Shorttext:
Легирование полупроводников методом ядерных реакций. В монографии рассмотрены физические основы нового метода легирования полупроводников, базовым элементом которого являются ядерные реакции, протекающие в обьеме полупроводника под действием быстрых заряженных частиц, нейтронов, высоко энергетического гамма излучения, а также неизбежно возникающие побочные явления- образование радиационных дефектов, кинетика их накопления и отжига. Приведены подробные данные о технологии равномерного облучения объемных слитков нейтронами в зависимости от специфики конструкции ядерного реактора, рассмотрены среда и режимы отжига радиационных дефектов, требования к исходному материалу и электрофизические свойства легированных кристаллов кремния. Проанализированы источники радиоактивной загрязненности слитков в процессе облучения и технологические приемы дезактивации их до безопасного уровня. Монография рассчитана на научных работников и производственный персонал, интересующихся проблемами радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения полупроводников и приборов на их основе, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Publishing house:
LAP LAMBERT Academic Publishing
Website:
http://www.lap-publishing.com/
By (author) :
Вячеслав Харченко
Number of pages:
272
Published on:
2017-08-08
Stock:
Available
Category:
Monographies
Price:
4881.40 руб
Keywords:
легирование, отжиг, полупроводники, радиационные дефекты, Ядерные реакции, ядерные реакции, монокристаллы кремния, облучение нейтронами, электрофизические свойства.

Books loader

Newsletter

Wire Transfer

  0 products in the shopping cart
Edit cart
Loading frontend
LOADING